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MCP真空粒子/射線探測(cè)器的注意事項(xiàng)

一、MCP真空粒子/射線探測(cè)器的注意事項(xiàng)MCP是高電壓、高增益的真空電子放大器器件，在使用和存儲(chǔ)方面需要一定的防護(hù)和注意，以免造成人身傷害或器件損壞。MCP真空粒子/射線探測(cè)器的注意事項(xiàng)高壓防護(hù)l電氣防護(hù)：確保真空探測(cè)器MCP部分的裸露電之間距離正常，沒有彎折、過近；裝配進(jìn)真空系統(tǒng)時(shí)確保探測(cè)器真空內(nèi)部分距離其他金屬件之間有足夠的空間；如需自行連接高壓線纜，請(qǐng)采用耐壓足夠的線纜和高壓連接頭。無論任何情況，高壓導(dǎo)線/觸點(diǎn)/接頭不得位于人能夠接觸到的環(huán)境下。l高壓電源：如使用模塊式...

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MCP探測(cè)器在高壓電源的選擇

高壓電源選擇MCP的增益隨電壓增加是非線性增加的，因此需要高穩(wěn)定性、低噪聲的高壓電源。通常有兩類高壓電源可供選擇：l直流高壓變換模塊：這類模塊可以將輸入直流電壓（如+5V）變換成多路高壓輸出，供MCP、熒光屏/陽使用；另提供一路或多路控制電壓輸入來在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出電壓。這類電源體積小、使用靈活，但通常無法自動(dòng)控制，需要手動(dòng)控制。使用時(shí)需注意采用高品質(zhì)的直流穩(wěn)壓電源，或采用電池供電。l臺(tái)式高壓電源：如果空間允許，真空類MCP探測(cè)器建議配置臺(tái)式高壓電源。Photek提供的DP...

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真空MCP探測(cè)器的電壓配置

真空MCP探測(cè)器的電壓配置以及門控MCP每一級(jí)需要約1kV的高壓；熒光屏相對(duì)與MCP輸出面需要約5kV的高壓以使電子具備較高的能量有效激發(fā)熒光；陽板通常則相對(duì)于MCP輸出處在200V左右的高電位。真空MCP探測(cè)器的電壓配置簡介如圖10所示的一個(gè)典型的MCP影像探測(cè)器（采用熒光屏輸出），各間相對(duì)電壓的幅度一般為：Vout=Vin+2000V;Vscreen=Vout+5000V=Vin+7000V圖10一個(gè)典型MCP探測(cè)器的電壓配置當(dāng)探測(cè)的粒子為電中性（如光子）時(shí)，比較方便的是...

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MCP真空探測(cè)器的信號(hào)拾取及讀出

一、MCP真空探測(cè)器的信號(hào)拾取及讀出微通道板本身只是對(duì)電子進(jìn)行倍增放大的器件，它吸收輸入的帶電粒子或光子，輸出倍增以后的電流（電子云）。為獲取實(shí)驗(yàn)結(jié)果，需要將輸出的電子經(jīng)過拾取或轉(zhuǎn)換后，形成能夠拍攝、記錄或計(jì)數(shù)的信號(hào)。因此，對(duì)于一個(gè)特定目的的MCP真空探測(cè)器，信號(hào)拾取和讀出是非常重要的部分。通常會(huì)需要一個(gè)陽用來拾取電子云信號(hào)，陽與MCP輸出端之間有一定間距并加有高壓。一般而言有幾種類型的陽：l熒光屏：受高能電子轟擊后會(huì)發(fā)光，從而形成可見光的圖像；l金屬導(dǎo)電陽：直接拾取電流，用...

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MCP探測(cè)器的優(yōu)勢(shì)

MCP探測(cè)器的優(yōu)勢(shì)l高速度：電子在微通道板內(nèi)的渡越時(shí)間為百皮秒量級(jí)，而渡越時(shí)間的抖動(dòng)更是遠(yuǎn)小于納秒。和PMT類探測(cè)器相比，MCP探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間快1～2個(gè)數(shù)量級(jí)；而固體（半導(dǎo)體）探測(cè)器要達(dá)到亞納秒的響應(yīng)時(shí)間，其管芯尺度會(huì)非常小。l低噪聲/高靈敏度：在1cm2面積上，每秒鐘只有2-3個(gè)暗計(jì)數(shù)；而高增益使得探測(cè)器輸出足夠大的電流/發(fā)光，足可克服后續(xù)收集系統(tǒng)的本地噪聲。l抗干擾：相對(duì)于PMT，MCP受磁場的影響非常小，通常不需要磁屏蔽。l靈活性：MCP是二維電子放大器件，通過不同的...

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